凌晨四点，当工作站的屏幕上终于跳出“DRC
Clean,
LVS
Clean,
ERC
Clean”的绿色最终确认信息时，整个实验室爆发出短暂而压抑的欢呼！这意味着，“启明一号”的设计文件，在经过林轩和他团队呕心沥血的打磨后，终于达到了可以送去制造的完美状态！
林轩深深地吐出一口气，紧绷了几十个小时的神经终于放松下来，一股强烈的疲惫感如同潮水般涌上。但他没有休息，而是亲自检查了最终生成的GDSII版图文件的数据完整性，确认无误后，才授权团队将其加密打包。
目标代工厂——台湾新竹的“台联电”。这是林轩经过反复权衡后的选择。相比当时已经声名鹊起、行事风格更稳健保守的“台积电”（TSMC），“台联电”作为追赶者，作风更激进，愿意接纳新兴设计公司的订单，并且在价格和服务上更具弹性。更重要的是，林轩清晰地记得，在他前世的资料库中，记载着“台联电”在19961997年间，其编号为“Fab
8A”的0.5微米CMOS生产线（这正是“启明一号”选择的工艺节点），曾因为一个批次的化学机械抛光（CMP）工艺参数漂移，导致其金属互联层（特别是M3和M4层）的平坦度略有瑕疵，在高电流密度下容易引发“电子迁移”效应，进而影响芯片的长期可靠性。这个问题当时并未引起足够重视，直到几年后大规模应用时才逐渐暴露。
而林轩，恰恰在“启明一号”的设计中，针对这个“未来”才会发现的隐患，做足了文章。他在芯片内部几个关键的大电流路径，如核心处理器的电源网络、高速时钟树的主干道等区域，不仅大幅加宽了金属走线（远超标准设计规则的建议值），还密集增加了数倍的冗余通孔，并在这些关键线路周围设计了特殊的“虚拟填充”结构和应力缓冲带。这些设计在版图上看起来有些“臃肿”和“浪费”，甚至略显“丑陋”，但却是林轩为了确保芯片在“有瑕疵”的工艺下依然能长期稳定运行而埋下的“伏笔”。
加密后的设计文件，通过当时速度慢得令人发指的X.25或早期拨号网络专线，缓缓传输到了台湾新竹。
两天后，一封来自“台联电”客户工程部的电子邮件，准时出现在了林轩指定的项目邮箱里。邮件由一位名叫“陈志明”的资深工程师撰写，措辞极其“专业”且“客气”：
“尊敬的启明芯林先生及设计团队：
感谢贵司选择台联电作为‘启明一号芯片的制造伙伴。我们已收到并初步审阅了贵司提交的GDSII设计文件。文件完整性校验通过。
在进行初步的制造可行性分析和设计规则检查（DRC）过程中，我们的工程师注意到，在芯片的若干关键区域（详见附件高亮标注图），金属走线宽度、通孔数量及布局方式，似乎显着超出了我们基于该0.5微米工艺节点提供的标准设计套件（PDK）中的推荐值。
我们理解贵司可能有特殊的可靠性考量，但从优化芯片面积利用率、降低光刻掩模复杂度和潜在制造成本、以及最大化初始流片良率的角度出发，我们强烈建议贵司考虑对这些区域进行适当的‘优化调整。附件中包含了我们工程师基于经验提出的几套
第47章 来自宝岛的“友好建议[1/2页]